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產品詳情
簡單介紹：
電子器件的絕緣膜、鈍化膜
詳情介紹：
概述
AD-230LP 是一種ALD（原子層沉積）設備，可控制原子級薄膜厚度。 有機金屬原料和氧化劑交替供應到反應室，僅通過表面反應形成。 該裝置具有負載鎖定室，不會向大氣開放反應室，因此可實現出色的可重復性沉積。
特點
- 原子可以更均勻地控制層。
- 可對高縱橫比結構進行正式成膜。
- 出色的平面內均勻性和可重復性，可實現穩定的工藝。
- 獨特的反應室結構優化了原料的氣體管路和氣流，從而抑制了顆粒。
- 電容耦合等離子體 （CCP） 方法*大限度地減少了反應室體積，縮短了氣體凈化時間，并加快了一個循環。
應用示例
- 氮化膜（AlN、SiN）成膜、氧化膜（AlOx、SiO2）的低溫成膜
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電子器件柵極絕緣膜
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半導體、有機EL等鈍化膜
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半導體激光器反射面
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向MEMS等三維結構成膜
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石墨烯的沉積
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碳納米管保護膜粉末涂層
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