原子層沉積(ALD)是一種薄膜生長技術，能夠為電子器件(電源和射頻)沉積無針孔和均勻的絕緣體薄膜。ALD在高長寬比溝槽和通孔結構上提供了優異的保形性，在角級的厚度控制，以及基于連續、自限性反應的可調整薄膜成分。Samco提供高度靈活的開放式熱ALD系統AL-1和負載鎖定等離子體增強ALD系統AD-230LP。

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  等離子體強化的ALD設備 AD-230LP

  **的重復性和穩定性
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  熱ALD設備 AL-1

  無針孔薄膜沉積
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等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)是通過將活性氣體變成等離子體狀態，在目標基材上產生活性自由基和離子，使目標基材發生化學反應而形成薄膜的技術。在化合物半導體和硅半導體的制造過程中，用于沉積作為鈍化膜的氮化硅薄膜（SiN）和作為層間絕緣膜的氧化硅薄膜（SiO?）。

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  等離子體增強型CVD設備 PD-2201LC

  節省空間的生產設備
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  等離子體增強型CVD設備 PD-220NL

  緊湊的研發用負載鎖定系統
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  等離子體增強型CVD設備 PD-3800L

  基于托盤的批量處理
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  等離子體增強型CVD設備 PD-220N

  緊湊的機身，節省空間的設計

Samco獨特的液態源CVD?系統使用自偏置沉積技術和液態TEOS源來沉積低應力的SiO2薄膜，從薄膜到極厚的薄膜（高達100 μm）。

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  液體原料CVD設備 PD-200STL

  負載鎖定系統，*高可達200毫米

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  液體原料CVD設備 PD-270STLC

  低溫厚膜沉積生產設備

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  液體原料CVD設備 PD-330STC

  沉積物高達?300 mm
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  液體原料CVD設備 PD-100ST

  開放式研發設備